5月28日，长飞先进武汉基地一期迎来重要里程碑，成功实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆于当日顺利下线。这一成果标志着我国第三代产业发展迈出了坚实的一步，将为新能源等多个领域注入新的活力。
长飞先进武汉基地一期占地面积达344亩，致力于打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。这里将汇聚上千位全球碳化硅半导体领域的专业人才，为产业发展提供强大的智力支持。该基地聚焦第三代半导体功率器件的研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
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